дырок проводимости

См. также в других словарях:

• критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая концентрация дырок …   Справочник технического переводчика

• Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — 30. Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• критическая концентрация дырок проводимости — критическая концентрация дырок проводимости; критическая концентрация дыроа Концентрация дырок проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны …   Политехнический терминологический толковый словарь

• ДЫРОК ТЕОРИЯ ДИРАКА — теоретич. модель вакуума физического, предложенная в 1930 П. А. М. Дираком (P. A. M. Dirac) для устранения трудностей релятивистской квантовой теории электрона (см. Дирака уравнение); привела к предсказанию существования античастиц, процессов… …   Физическая энциклопедия

• Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… …   Большая советская энциклопедия

• рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… …   Энциклопедический словарь по металлургии

• ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• критическая концентрация дыроа — критическая концентрация дырок проводимости; критическая концентрация дыроа Концентрация дырок проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны …   Политехнический терминологический толковый словарь

• скомпенсированный полупроводник — Примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые …   Справочник технического переводчика

• Скомпенсированный полупроводник — 12. Скомпенсированный полупроводник Примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Газы — I Газы (французское gaz; название предложено голланским учёным Я. Б. Гельмонтом         агрегатное состояние вещества, в котором его частицы не связаны или весьма слабо связаны силами взаимодействия и движутся свободно, заполняя весь… …   Большая советская энциклопедия